全球首创！我国九峰山实验室在氮化镓材料新突破

据九峰山实验室3月22日消息，九峰山实验室的科研团队在全球首创性地实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备，这一成果不仅标志着我国在半导体材料领域的重大进步，更为未来诸多前沿技术的发展奠定了坚实基础。

澳大利亚全力追赶中国钒电池领域发展

凭借自身丰富的钒储量，澳大利亚原以为可以利用本土技术，启动全钒液流电池（钒电池，VRFB）发展的快车。可如今，在中国大力推进钒电池项目，且主要建设者积极投身全球扩张之后，澳大利亚成为“可再生能源超级大国”，减少对中国供应链依赖的雄心，再次遭到打击。 文章感慨道，“这一切都像是历史的重演：澳大利亚率先开发出太阳能电池板的光伏电池，但迅速占据这一领域主导地位的是中国。”

碳化硅晶体生长技术的现状与未来展望

碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料，凭借其卓越的物理性能，广泛应用于新能源汽车、5G通信、光伏、智能电网等多个领域。当前，碳化硅晶体生长技术正快速发展，并逐渐成为半导体产业的核心技术之一。本文将探讨当前SiC晶体生长技术的挑战与技术突破，及其未来的技术方向。