氮化镓，正在反超SiC？

两种半导体——碳化硅和氮化镓——正展开一场（毫不夸张地说）激烈的竞争，争夺能够在最高温度下工作的电路。碳化硅芯片曾一度占据领先地位，工作温度可达600°C。但氮化镓凭借其独特的特性，使其在高温下性能更佳，现已超越碳化硅。宾夕法尼亚州立大学电气工程教授 Rongming Chu领导的研究人员设计出一款可在800°C（足以融化食盐）下工作的氮化镓芯片。

再次中标！7MW/28MWh！上海电气储能中标奉贤星火储能示范基地（一期）之第二批全钒液流储能系统

在能源革命浪潮中，储能技术正成为推动可持续能源发展的关键力量。自今年5月成功中标奉贤星火综合多种新型储能技术路线对比测试示范基地（一期）10MW/40MWh全钒液流储能项目后，近日，上海电气储能科技有限公司（“电气储能”）又成功中标该项目增补的第二批7MW/28MWh全钒液流储能系统，为上海打造多元化储能技术实证平台进一步提供验证场景。

美国又迎来一家2nm晶圆厂

据业内人士31日透露，三星电子计划从9月开始部署人员，在泰勒工厂建立代工生产线。工程师将分两批部署，分别在9月和11月。此外，已确认正在订购代工生产线建设所需的设备。