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爆发式增长！第三代半导体SiC的无限可能

在刚刚结束的珠海航展上，除了吸引大众眼球的航模、仿真枪等高科技产品之外，多家企业展示了基于Sic技术(碳化硅MOSFET器件、碳化硅SBD等)的产品，这些展品不仅展示了SIC技术在新能源和无线通讯领域的最新进展，也展示了其在高端装备中的广泛应用前景。

德海艾科杭州意丰歌全钒液流储能电站年节省电费超百万

在位于开发区的杭州，一个大型储能电站能够持续放电10小时，确保工厂日间运营的能源需求无忧。近日，该项目还荣登我区最新发布的绿色低碳示范应用场景榜单。

8英寸4H-SiC同质外延中缓冲层厚度对缺陷率的影响

近年来，由于大直径、高质量SiC晶体的出现，基于4H-SiC的器件技术取得了显著进步。增大晶片尺寸同时降低缺陷密度是4H-SiC单晶衬底的发展趋势，以降低器件成本。为此，200mm (8英寸) SiC衬底正逐步进入市场，以取代目前的150mm (6英寸)技术。

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