2023年6月，在重庆市委市政府的大力推进下，重庆三安意法半导体碳化硅项目签约落户西部科学城重庆高新区西永微电园。据介绍，该项目除了包括8英寸碳化硅（SiC）功率器件合资制造厂安意法半导体有限公司外，还有由三安独立运营的、坐落在同一园区、满足该合资厂的SiC衬底需求的8英寸 SiC衬底制造厂（重庆三安半导体有限责任公司）。
安意法通线这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长的需求。
近年来，在新能源汽车浪潮的推动下，拥有突出技术优势的碳化硅热度大增。尤其是在中国市场，因为新能源汽车产业的异军突起，对SiC的需求也水涨船高。知名分析机构Yole Group 在报告中预测，到 2029 年，功率 SiC 器件市场将达到近 100 亿美元，其中汽车、移动和运输占近 80 亿美元。
作为行业的先驱，ST在SiC方面的实力毋庸置疑。ST通过和三安携手，在重庆落地了安意法，大力支持中国新能源汽车产业的发展。
重庆是中国最重要的工业中心之一，尤其是在汽车领域，其新能源车市场地位凸显。当前，重庆正处于产业转型升级的关键时期，当地政府也以打造“智造重镇”、“智慧名城”为目标，致力于成为具有全国影响力的重要经济中心、科技创新中心及改革开放新高地。安意法8英寸碳化硅项目将为重庆的发展带来生产力跨越式革新，它的通线投产将进一步完善重庆的功率半导体产业链，助力重庆形成具有影响力的SiC产业集群，并为全国SiC产业链带来“头雁“效应。
据介绍，这家由三安光电和ST共同成立的8英寸碳化硅 (SiC) 功率器件合资制造厂采用ST专有的碳化硅制造工艺技术，并作为ST的专用代工厂，支持其中国客户的需求。根据规划，合资厂全面落成后预计总投资约为230亿元人民币（32亿美元），届时将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率器件规模化量产线。
安意法合资厂自2023年9月开工以来，在过去一年多里，建设也按照原计划稳步推进：2024年11月底达到“点亮”条件，2025年2月27日贯通（通线）。按照预期规划，该合资厂将在2025年第四季度投产，预计2028年达产，届时将能更好地满足中国新能源汽车行业、工业电源和能源等应用需求。
更重要的是，其前瞻性的布局，让ST能够给中国当地的客户提供性能更好、价格更低的SiC器件选择。
因为发展原因，过去很长一段时间里SiC都是六英寸，但因为在有限面积切割的die数量有限，这就让SiC的成本相对较高。于是，和硅器件一样，行业近年来正在往大尺寸晶圆发展。八英寸SiC就成为了业内的共识选择。
得益于在 SiC 领域拥有超过25 年的研发经验，ST早在2021年就造出了首批质量非常高的8英寸碳化硅晶圆，其影响良率的缺陷和晶体位错缺陷也极少。与六英寸晶圆相比，八英寸制造集成电路的有效面积几乎增加了一倍，可提供 1.8 至 1.9 倍的工作芯片数量。再通过减少边缘的浪费，供应商能进一步降低SiC的成本。
在安意法碳化硅 (SiC) 晶圆合资制造厂的加持下，结合三安SiC衬底制造厂，及扩建中的ST后道封装测试产能，ST将形成完整的本地化 8 英寸碳化硅供应链，在确保高质量标准的同时，通过缩减生产和物流成本，为本土厂商提供高性价比SiC产品，甚至面向中国市场提供定制化方案。在国内形成从衬底-外延-晶圆-封装的8寸碳化硅全环节产业链，还有助于国内相关产业提高供应链韧性。 对于正在大力发展的中国新能源产业来说，ST的SiC合资厂无疑是一个巨大利好。就ST而言，这其实只是他们在中国布局的一个缩影。
