1. 浙江晶瑞：成功研发12英寸导电型SiC晶体

浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功实现了12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长，首颗晶体直径达309mm，且质量完好。这一突破是基于自主研发的SiC单晶生长炉和8-12英寸长晶工艺的持续迭代优化。

关键技术突破：

• 温场不均与晶体开裂问题：浙江晶瑞通过创新的晶体生长温场设计和气相原料分布工艺，成功解决了12英寸SiC晶体生长中的核心难题，特别是在温场不均和晶体开裂方面的技术难关。

• 技术自主可控：此次突破使得6-12英寸全尺寸长晶技术完全自主可控，不仅提高了生产效率，也大幅降低了芯片成本。这为国产SiC材料的规模化应用和产业链完善提供了坚实的技术基础。

2. 南砂晶圆：发布12英寸导电型SiC衬底

南砂晶圆在2025年5月8日的行业大会上展示了其在12英寸导电型SiC衬底领域的重大突破。南砂晶圆自成立以来，致力于碳化硅单晶材料的研发和生产，已在广州、中山、济南等地建立了生产基地，形成了完善的SiC单晶生长和衬底制备生产线。

技术进展：

• 低缺陷密度：南砂晶圆在8英寸SiC衬底的生产过程中，成功实现了近零螺位错和低基平面位错密度，显著提升了产品的可靠性和性能，为国产8英寸导电型衬底的产业化奠定了基础。

• 市场布局：该公司在国内外的多个项目中已经成功实现8英寸SiC衬底的供应，且继续向12英寸SiC衬底的研发和量产迈进，为未来的高效SiC应用提供了坚实的材料支持。

3. 山东力冠微电子装备：加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备

山东力冠在12英寸SiC长晶炉领域取得了突破性进展，特别是在PVT电阻加热长晶炉方面。公司已成功研发并交付了首批两台设备，标志着其在12英寸SiC长晶技术上的领先地位。

关键技术突破：

• PVT电阻加热长晶炉：山东力冠的长晶炉设备采用了创新热场设计，显著提升了温度均匀性与稳定性（>30%），提高了晶体良率与一致性，已达到国际主流水平。

• 12英寸液相法SiC长晶设备：公司正加速推进12英寸液相法SiC长晶设备的研发，并计划在2025年实现设备的批量供货。这一突破不仅将推动国产SiC材料在全球市场的布局，也为中国厂商进入全球SiC市场的第一梯队提供了强大支撑。

总结：三家企业齐发力，推动国产SiC材料突破

通过山东力冠、浙江晶瑞和南砂晶圆的共同努力，12英寸SiC技术的进展为中国在半导体产业的自主可控方面迈出了关键步伐。设备、材料和技术三线齐发力，不仅打破了国外巨头的垄断，也为碳化硅在更多领域的应用铺平了道路。展望未来，随着技术的持续突破和市场的不断拓展，中国在全球SiC材料市场中的地位将愈加重要。