天岳先进成立于2010年11月，由创始人宗艳民先生主导创办，主营业务为碳化硅（SiC）半导体材料的研发、生产与销售，涵盖导电型与半绝缘型碳化硅衬底两个核心产品系列：
导电型碳化硅衬底：广泛应用于新能源汽车主驱逆变器、高压快充系统、光伏逆变器等功率器件领域；
半绝缘型衬底：主要用于5G基站、高频通信与射频功率器件等射频前端场景。
截至2025年一季度，公司已在山东和上海两地建成双基地生产体系，年设计产能超过40万片碳化硅衬底，并实现从2英寸到8英寸的商业化全覆盖，是全球首批完成12英寸衬底研发的企业之一。
根据弗若斯特沙利文的数据，按2023年碳化硅衬底销售收入计，天岳先进以16.7%的市场份额位居全球第二，仅次于美国Wolfspeed，成为全球SiC衬底产业的重要玩家。
公司累计获得502项授权专利，其中发明专利194项；
海外专利布局积极，14项发明专利来自中国内地以外地区；
在全球碳化硅发明专利持有数量中位列前五。
此外，公司已与全球前十大功率半导体厂商中的逾半数建立了稳定的合作关系，其衬底产品已进入多个国际主流器件生产商的供应链体系，终端应用涵盖电动汽车、光伏、AI服务器、电源管理系统等领域。
据弗若斯特沙利文预测，全球碳化硅衬底市场规模（按销售额计）将从2020年的30亿元增长至2024年的88亿元，年复合增长率达29.9%。展望2030年，市场规模预计将进一步扩大至585亿元，年复合增速高达37.1%，SiC产业进入快速扩张周期。
在全球第三代半导体热潮与中国产业链自主可控战略交汇的背景下，天岳先进此次通过港交所聆讯，标志着其迈向全球资本市场的重要一步。未来，天岳有望凭借其领先的技术能力、完善的产能体系和多元化客户结构，在碳化硅这一战略材料赛道上持续扩大全球份额，助推中国半导体材料跻身世界主流体系。
