一、印度首座碳化硅晶圆厂：SiCSem项目剖析

项目概况

• 牵头单位：SiCSem（印度）+ Clas-SiC Wafer Fab（英国）

• 选址：奥里萨邦布巴内斯瓦尔“信息谷”产业园

• 规划产能：

• 6万片/年 SiC晶圆

• 9600万个/年 SiC功率器件

• 投产时间：预计2026年

• 定位：印度首座商业化SiC晶圆与器件制造基地

产业意义

碳化硅（SiC）是第三代半导体的核心材料之一，具有高耐压、高频、高热导等特点，已成为新能源汽车、电网变流器、充电桩等高压功率场景的关键材料。

• 打破SiC器件高度依赖进口局面

• 承接新能源汽车与可再生能源政策红利

• 加速印度在国防与高压电力电子方向的自主可控布局

值得注意的是，Clas-SiC Wafer Fab是英国少数掌握SiC外延与晶圆制造能力的企业之一，为SiCSem提供重要技术支撑。

二、四大项目协同落地，覆盖半导体产业链三大关键节点

1. SiCSem：材料端突破——碳化硅晶圆+器件制造

• 引入宽禁带半导体技术

• 覆盖上游晶圆、中游器件工艺

2. 3D Glass Solutions：中介层封装——玻璃基+3D异构封装

• 地点：同在奥里萨邦信息谷

• 产能规划：

• 6.96万片玻璃基板/年

• 1.32万个3DHI模块/年

• 5000万个封装单元/年

• 工艺特色：集成硅桥、无源器件、异质封装

• 服务领域：AI芯片、国防模块、高性能计算

3. ASIP Technologies + 韩国APACT：封测/功率器件大规模量产线

• 选址：安得拉邦

• 产能：9600万个功率器件/年

• 产品方向：手机、机顶盒、汽车电子等主流消费与工业芯片封装

4. 新建本土基础设施与就业配套

• 新项目预计直接创造2034个技术岗位

• 形成地方“高科技集聚带”，吸引海外人才回流

三、ISM推进现状与挑战：从设想走向制造落地

截至目前，ISM支持项目总数已达10个，总投资规模突破1.6万亿卢比（约192亿美元），落地覆盖六个邦，产业方向涵盖：

• 芯片设计与晶圆制造（如Micron存储项目）

• 显示面板生产（Vedanta集团）

• 封测与集成封装（如Tata计划）

四、小结：印度半导体战略的转折信号

SiCSem碳化硅晶圆厂的批准与布局，意味着印度不再满足于芯片封测或设计外包环节，而是开始触及半导体制造的核心材料端，尤其是战略性化合物半导体领域。结合先进封装与异构集成技术的引入，印度正尝试构建：

“材料—器件—封装—系统”全链协同的新兴生态

而在国际地缘竞争与产业链重塑背景下，印度或将成为亚太地区重要的SiC器件备选制造中心，特别是在服务南亚、中东、东南亚市场方面具备独特战略位置。