该产线从启动建设到实现调试用时不足一年，大幅领先行业平均进度，反映出三安在工艺整合与产线部署上的强大工程效率。

一、湖南基地：打造国产碳化硅垂直一体化高地

截至目前，湖南三安已初步建成覆盖SiC衬底—外延—芯片制造的完整垂直一体化产业链：

该项目总投资规模达160亿元人民币，同时支持6英寸与8英寸制程兼容，具备面向高端电动车、工业控制、新能源等场景的交付能力。预计满产后将具备年产6吋晶圆36万片、8吋晶圆48万片的行业领先规模。

二、重庆合资项目：进军车规级高端市场

除湖南基地外，三安与全球功率半导体巨头意法半导体（ST）合资的重庆碳化硅晶圆厂也于今年2月完成产线调试，预计将在2025年四季度正式量产。

该项目定位为中国首条专注车规级功率器件的8英寸SiC量产线，全面达产后可实现周产1万片8英寸车规级SiC晶圆，将为中国新能源汽车的驱动模块与充电系统提供核心半导体支持。

三、行业观察：SiC全面进入国产化提速窗口

从湖南基地的快速贯通，到重庆合资线的高端量产，三安正在构建以湖南为基础产能平台、重庆为高端车规标杆线的双轮驱动格局。结合其自有SiC衬底生长、外延、设计与封装能力，已形成中国最具代表性的SiC全链条龙头企业之一。