多位业内人士在接受《中国经营报》记者采访时表示，当前SiC对IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的替代进程已进入关键阶段，国内功率半导体企业凭借技术追赶和成本优势，正在全球市场中占据更有利的位置，而国际巨头若不能加快转型步伐，或将面临市场份额被蚕食的风险。这种此消彼长的态势，预示着2025年将成为决定行业未来走向的重要转折点。

随着 SiC 价格不断下探，SiC正在全面替代 IGBT，海内外的相关企业业绩表现呈现冰火两重天的局面。国际功率半导体巨头如 Wolfspeed，曾是 SiC 领域的领军企业，但由于过度激进的扩产策略以及市场竞争加剧，陷入严重财务困境。2025 年，Wolfspeed 因债务危机申请破产保护，其 8 英寸晶圆厂产能利用率仅 20%—25%，市场份额被竞争对手蚕食。同样面临挑战的还有英飞凌、意法半导体等企业，尽管在高端车规级 SiC 市场仍占据一定优势，但受国产 SiC 产品低价冲击，利润率下降至 20% 以下。

据Yole预测，2027年全球碳化硅功率器件市场规模将达到62.97亿美元；TrendForce数据显示，其2023—2028年复合年增长率（CAGR）高达25%；沙利文则进一步预测，2030年全球碳化硅衬底端市场规模将增长至人民币664亿元。

袁帅认为，近年来，国内企业在SiC技术研发和生产方面取得了显著进展，产品质量和性能不断提升，成本逐渐降低。国内庞大的市场需求为国内企业提供了广阔的发展空间，通过不断满足国内客户的需求，国内企业能够积累丰富的经验，提升自身的竞争力。同时，国内企业积极拓展海外市场，加强与国际客户的合作，有望在全球功率半导体市场中占据更大的份额，成为全球功率半导体产业的重要力量。

卢克林表示，2028年SiC将占功率半导体出货量的25%、金额的45%，硅基IGBT虽然将退至55%，但仍掌握量大价低底盘。中国厂商有望拿下全球35%的衬底、50%的器件和70%的模块产能，成为“第二供应商”首选。

“机会在于，本土8英寸产线2026年集体投产，成本再降30%；储能、超充、重卡三大增量市场同步爆发，单辆重卡SiC用量是乘用车的4倍。”卢克林认为，“挑战同样尖锐：衬底良率60%到80%每提升一个点需要6个月，设备、耗材、EDA等面临供应链安全隐患；欧美的碳边境税和IRA（美国《通胀削减法案》）补贴把供应链切成‘东西两块’，出口模块可能面临20%额外关税。能否把成本优势转化为标准话语权，是未来三年国产SiC的生死线。”