• 天岳先进在业内首创液相法制备无宏观缺陷8英寸SiC衬底，率先使用液相法生产P型衬底，成功解决高质量晶体生长的界面控制与缺陷控制问题。其衬底有效厚度超过60毫米，远高于行业平均的20毫米，并实现近零微管、无堆垛层错，基底面位错（BPD）、螺位错（TSD）、刃位错（TED）密度均保持低位；公司还通过“Z计划”推动无缺陷交付。

• 天科合达全球首发8英寸低电阻衬底，电阻率控制在7–12 mΩ・cm，仅为常规N型衬底的一半，攻克了低电阻率下层错缺陷密度过高的行业痛点。据测算，电阻率每降低1 mΩ・cm，器件导通电阻可相应下降2–4%，为高端功率器件性能提升提供了关键支撑。

在晶型控制与掺杂均匀性方面：

• 南砂晶圆通过优化大尺寸晶体生长的温场与流场设计，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体，加工后衬底的4H晶型面积比例达100%，并实现了近“零螺位错”密度控制。

• 晶越半导体的8英寸衬底在性能上表现突出，基平面位错密度（BPD）小于20个/cm²，总位错密度（EPD）小于1000个/cm²，核心参数达到国际领先水平，满足高端功率器件对材料的严苛要求。

工艺兼容性与成本优化能力持续提升：多数头部企业已实现6英寸与8英寸产能兼容。天岳先进、晶盛机电等企业提前对长晶设备进行差异化设计，可在8英寸需求上升时快速切换，大幅提升产能利用率。

专利与标准布局也取得显著成果：天岳先进累计获得发明专利授权197项（含境外14项），在碳化硅衬底专利领域位列全球前五；烁科晶体牵头制定4项行业标准，累计申请专利180余项，技术自主可控性不断增强，为行业规范发展提供支撑。