士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线的通线，标志着该产线进入实质运营阶段，将有效填补国内大尺寸碳化硅芯片制造的产能缺口。士兰微电子8英寸碳化硅项目由旗下子公司士兰集宏负责，项目规划用地面积约205亩，主厂房核心面积1.5万平方米，总投资120亿元，总建筑面积达23.45万m²，分两期建设，其中一期投资70亿元，达产后年产能42万片8英寸碳化硅芯片；二期投产后，总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸碳化硅功率器件产线。

士兰微电子12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线将对标国际领先水平，采用半导体设计与制造一体化（IDM）模式运营，拥有完全自主知识产权。项目计划分两期建设：一期投资规模100亿元，预计明年四季度初步通线并投产，2030年全面达产，届时可年产12英寸模拟集成电路芯片24万片；二期将再投资100亿元。两期全部建成后，年产能将提升至54万片，有效填补国内汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的空白，缓解我国高端模拟芯片多年来严重依赖进口的局面，并有力助推厦门打造集成电路产业创新发展高地。