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爆发式增长!第三代半导体SiC的无限可能
发布时间:2024.12.18 浏览次数:58

随着航空航天装备对智能化、高效节能要求的不断提升,高功率电子器件的需求愈发迫切,SiC(碳化硅)半导体技术凭借其独特优势,成为推动航天设备升级与性能飞跃的关键因素。

如航空航天领域的高温结构部件,防热结构等,很多便是采用的SiC复合材料。而在元器件领域,SiC凭借其宽带隙特性,能够在更高的电压、温度和开关频率下运行,在功率转换和电力电子系统展现出显著优势。

图片来源于:trendforce

根据TrendForce最新发布的《2024年全球SiC功率器件市场分析报告》,SiC材料正在汽车、可再生能源等关键应用领域加速扩张,这些领域对功率密度和效率有着极高的要求。报告预测,全球SiC功率器件市场需求将持续增长,预计到2028年,市场规模将达到91.7亿美元(折合人民币约648亿元)。

图片来源于:trendforce

从行业整体竞争格局来看,美国、欧洲和日本企业是SiC行业的领先者。据集邦咨询统计,仅意法半导体、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆五家,2023年的SiC MOSFET器件营收的市占率就达到了91.9%,同时创造了创纪录的收入。

正如英飞凌,运用丰富的经验和相关的专业知识,推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,该系列产品覆盖400V~2000V的电压范围,具有高效节能特性和最佳可靠性,且拥有三电平、fourpack、半桥、 sixpack和电流扩展等不同配置,适用于光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、不间断电源(UPS)、辅助电源和开关电源(SMPS)等应用。

(英飞凌SiC产品)

同样,罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域也十分优秀,罗姆新推出的第4代SiC MOSFET,在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外,还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点,有助于设备进一步节能。

再加上带有驱动器源极引脚的TO-263-7L和TO-247-4L封装产品,可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能,在主机逆变器,车载充电器,光伏逆变器,xEV充电桩发挥着重要作用。

(罗姆SiC业务产能扩张计划)

相比国际厂商,我国碳化硅产业起步较晚,目前还稍落后于国际先进水平。但在新能源汽车、光伏储能充电、轨道交通和工业等终端应用需求的推动下,中国 SiC 制造商也正在加快追赶国际巨头的步伐。