天岳先进成立于2010年，总部位于山东济南，是中国领先的碳化硅衬底制造商之一。近年来，天岳先进不断加大在SiC技术上的创新投入，尤其在8英寸SiC衬底的研发和生产上，取得了显著进展。作为SiC供应链中的重要环节，衬底制造商的地位至关重要，因为它直接决定了最终产品的性能和稳定性。

2024年，天岳先进在全球半导体行业的影响力持续扩大，尤其是在中国8英寸SiC衬底市场上稳占一席之地。随着电动汽车和智能电网等应用对SiC器件需求的激增，SiC衬底供应的紧张局面促使更多企业进入这一赛道，但天岳先进凭借其强大的技术积淀和市场适应能力，迅速脱颖而出，成为行业的重要参与者。

在技术创新方面，天岳先进始终走在行业前沿。公司于2023年6月推出了全球首款200毫米（8英寸）液相低缺陷SiC衬底，标志着其在SiC衬底技术领域的突破。这一创新不仅满足了国内市场对SiC衬底的迫切需求，还使天岳先进在国际市场上占据了一定优势。

此外，天岳先进在2024年推出了全球首款n型300毫米（12英寸）SiC衬底，开启了“超大”SiC晶圆的时代。这一技术创新在全球SiC产业链中具有里程碑意义，为未来大规模生产奠定了基础。值得注意的是，300毫米衬底的推出将大幅降低制造成本，并提升生产效率，进一步推动SiC材料的广泛应用。

天岳先进的成功，离不开中国市场的战略布局。近年来，中国在电动汽车和清洁能源领域的飞速发展，为SiC衬底和SiC器件的需求提供了强大动力。天岳先进充分利用这一市场机遇，积极提升产能和技术水平，努力推动中国SiC产业的快速崛起。

目前，天岳先进的8英寸SiC衬底已经在国内外客户中获得了广泛认可，尤其在电动汽车和功率电子应用领域的需求日益增长。作为行业内少数能够提供高质量、低缺陷SiC衬底的企业之一，天岳先进正在逐步拓展国际市场，并赢得全球合作伙伴的青睐。

根据SemiconductorInsight的数据显示，2024年全球SiC衬底市场的规模预计将达到16.7亿美元，预计到2030年将增长至34.4亿美元。在未来几年，随着电动汽车、光伏发电和智能电网等行业的推动，SiC衬底的需求将持续增长。这为天岳先进提供了更广阔的发展空间。

天岳先进不仅致力于提高SiC衬底的生产能力，还不断推进技术创新，特别是在晶体生长、缺陷处理等方面的突破。通过采用液相生长（LPE）等先进工艺，天岳先进能够生产出质量更高、缺陷更少的SiC衬底，确保其产品在高功率、高频率应用中的稳定性和可靠性。

天岳先进凭借其在SiC衬底领域的技术优势，已经逐渐成为全球半导体产业中不可忽视的力量。未来，天岳先进将继续秉持“先进质量和可持续性”的理念，通过技术创新和产品优化，进一步拓展国内外市场份额。

随着中国电动汽车产业的快速发展以及全球对SiC技术应用的需求持续增长，天岳先进在未来的SiC市场中将占据更加重要的地位。公司正在积极与国际合作伙伴建立更加紧密的合作关系，力争成为全球领先的SiC衬底供应商。