全球主要碳化硅衬底厂商产能情况分析

碳化硅（SiC）衬底作为第三代半导体材料的核心，近年来受到了广泛关注。其在电动汽车、新能源及高功率电子领域的广泛应用，使得市场对碳化硅衬底的需求持续增长。2023年全球碳化硅衬底的总体产能约为211.8万片/年。随着各大厂商的积极扩张，预计到2027年这一数字将大幅提升。碳化硅作为新能源领域的关键材料，其产能竞争已成为决定市场格局的重要因素。全球主要碳化硅厂商也加快了扩产步伐，以下为当前全球主要厂商的产能布局及规划概述。

100MW/400MWh！大型全钒液流电池共享储能电站投产

12月24日，融科储能参与建设的严寒地区全国首套大型全钒液流电池共享储能电站、东北首座集中共享式储能电站——吉林松原乾安中卉玉字储能电站正式投产，推动吉林省能源清洁低碳转型和新型电力系统建设，促进区域能源产业转型和结构调整，推进吉林省新时代新能源高质量发展。

碳化硅外延龙头企业天域半导体提交上市申请

近日，广东天域半导体股份有限公司（以下简称“天域半导体”）正式向香港交易所递交了上市申请，标志着这家在碳化硅外延片领域拥有显著技术优势的企业即将踏足资本市场。此次上市不仅为天域半导体的发展注入了新的动力，还吸引了华为、比亚迪等知名企业及多家政府背景基金的参与，共同推动半导体产业迈向新的高度。