在第三代半导体竞争日益激烈的当下，三安光电为何能稳居赛道前列？其领先优势不仅体现在产能爬坡，更关键在于“全产业链垂直整合+先进制程布局+多元终端导入”的系统性竞争力。

一、12英寸碳化硅布局加速，材料环节迎来突围窗口

在材料环节，“大尺寸、低缺陷、高一致性”是SiC衬底企业突围的关键。三安光电正在推进12英寸碳化硅衬底研发，迈向全球极少数具备12英寸能力的玩家行列。

目前行业主流仍为6英寸，8英寸正处于爬坡期，12英寸代表的是材料技术门槛和产业前瞻布局的“制高点”。随着下游电驱主控、800V平台、数据中心SiC化趋势增强，对更大尺寸衬底的需求也在加快释放。三安率先布局，有望在下一轮技术迭代中占据主动。

二、6英寸量产稳定，8英寸芯片产线加快推进

湖南三安作为三安光电碳化硅主阵地，已实现6英寸SiC月产能1.6万片，外延月产能达2000片，8英寸衬底月产能也已达1000片，8英寸芯片产线正在建设中。

更重要的是，湖南三安已实现从材料、外延、芯片到模块封装的一体化垂直整合能力，覆盖整个SiC器件链条，可满足不同客户“定制化、高可靠、快速交付”的需求。

目前，三安碳化硅产品已实现对通合、科士达、致瞻等充电桩客户的批量出货，也向台达、光宝等数据中心客户持续供货，并正在拓展工控、新能源、服务器等更多电源应用。

三、产线协同扩张，打造战略级产业联盟

三安光电不仅自主推进产线建设，也通过合资模式与整车厂和IDM企业形成深度绑定，提升市场控制力。

• 与意法半导体合资建设的8英寸车规级碳化硅产线已通线，预计2025年Q4实现量产，产品主要用于新能源汽车主驱系统；

• 与理想汽车合资的苏州斯科半导体一期项目也已完成通线，未来将向理想电动车平台提供高性能碳化硅器件。

这种“IDM+OEM+整车厂”三方协同模式，构建起国产SiC生态的产业闭环，强化了三安在电动汽车等高端市场的议价力与话语权。

四、赛道提速，中国市场成全球主战场

根据Yole、TrendForce等机构预测，2028年全球碳化硅器件市场规模将超120亿美元，中国市场占比将突破40%。

尤其在新能源车、光储充、工业电源等关键场景中，国产替代加速推进，叠加政策与本土配套优势，正在为中国SiC企业创造赶超窗口。三安光电凭借全栈自研与规模优势，有望持续领跑国产碳化硅阵营。