作为一家年轻但技术实力雄厚的企业，苏州清橙半导体前身为北京清研半
苏州清橙半导体此次采用六英寸液相法真空炉平台，成功在单炉内实现了4颗1英寸P型晶体的同步稳定生长。相比传统液相法通常采用单锭结构、效率偏低，本次创新采用“一炉多锭+反平行流”工艺设计，显著提升了生长效率和晶体一致性。
尤其值得关注的是，其反平行流工艺巧妙引导热流方向与溶质迁移相对设置，从而有效解决了液相生长中离轴籽晶台阶聚并严重、界面失稳、结构缺陷率高等技术瓶颈问题，极大地提升了晶体完整性与质量。
✦ 据介绍，该技术在保证良率与一致性的同时，实现了单位产能提升超300%，晶体成本降低40–50%，为液相法碳化硅材料的产业化奠定了关键基础。
相比气相外延的PVT（物理气相传输）法，液相法在制备P型掺杂碳化硅晶体方面具有先天优势，尤其适用于高压、大电流器件如N型IGBT、电力变换器、轨道交通模块等关键场景。而此次突破的“一炉多锭”方案，为后续6英寸甚至8英寸液相碳化硅晶体的规模生长提供了成熟路径。
苏州清橙方面透露，下一阶段将在当前成果基础上，推动多锭同导科技有限公司（成立于2021年），在碳化硅材料及设备环节已布局超50项核心专利技术，涵盖晶体生长工艺、专用反应炉设计、碳前驱体合成、功能涂层等多个维度。
公司总部位于苏州，在北京设有研发中心，在中国西部建设制造基地，形成“研发-中试-产业化”一体化布局，并连续获得“东吴领军”“姑苏领军”等重大人才与产业项目支持。
清橙始终秉承“智启清华，橙就未来”的发展愿景，坚持以自主可控+技术原创为牵引，专注于第三代半导体材料“液相法路线”的技术破壁，致力于成为全球领先的宽禁带半导体材料与设备供应商。
液相法碳化硅近年来被视为潜力巨大的“替代路线”，其低缺陷率、高掺杂效率、较低设备投资等优势，在大尺寸P型晶体与特殊器件应用中具备明确技术潜力。但长期以来受限于材料体系复杂、流体控制精度低、设备封装不足等问题，产业化路径进展缓慢。
本次清橙半导体的突破不仅实现了多晶同步→界面稳定→成品均匀的关键跃升，还打通了液相法向量产型设备迭代的关键节点，有望引领液相法碳化硅进入从“技术可行”向“规模可用”的转折阶段。
苏州清橙半导体此次液相法“一炉多锭反平行流”技术的突破，不仅提升了液相工艺的工程化能力，也为中国第三代半导体产业提供了新的路径样本。在政策推动、自主可控与产业链高质量发展的多重驱动下，未来液相法有望与PVT法形成互补，为碳化硅材料迈向更高端、更绿色、更普惠的应用打开新局面。
