在硅衬底上生长碳化硅晶圆，靠谱吗？

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的明星材料，因其宽禁带、高耐压、高热导率等特性，正被广泛应用于电动车、光伏、5G和高压电网等场景。但高昂的成本一直是SiC商用的“天花板”。那么问题来了——能不能像氮化镓（GaN）一样，把SiC生长在低成本硅（Si）衬底上？本文带你从技术、经济、应用三大角度，一起探讨Si衬底生长SiC的可行性。

孤举者难起，众行者易趋——科润董事长致液流电池行业同仁的一封信！

福建科润世纪氢能材料有限公司承办的《液流电池储能系统试验规程》等10项液流电池行业标准启动会议在福建南平成功举办。科润集团董事长杨大伟先生做开场致辞(原文如下)：

连科半导体八英寸硅区熔炉与碳化硅电阻炉科技成果鉴定为国际领先水平

2025年4月27日，中国有色金属工业协会在无锡组织召开了科技成果评价会。由中国科学院褚君浩院士、有研科技集团周旗钢教授，以及来自东南大学、南京航空航天大学、浙江大学科创中心等单位的五位专家组成的专家组，对连科半导体有限公司牵头完成的两项科技成果进行了评审。